磷化铟单晶基片_InP晶体基片_众铂材料

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    保定众铂商贸有限公司专业销售实验用新材料的及科工贸为一体的国际贸易公司，现提供InP（磷化铟）单晶基片。

    InP 单晶材料作为Zui重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中 InP 基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP 也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP 单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的 LEC 技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。

主要性能参数

1.单晶：InP 掺杂：本征 导电类型：N 载流子浓度cm-3：（0.4-2）*1016迁移率(cm2/V.s)：（3.5-4）*103位错密度(cm-2)：≤5*104 标准基片：Φ2″×0.35mmΦ 3″×0.35mm

2.单晶：InP 掺杂：S 导电类型：N 载流子浓度cm-3：（0.8-3）*1018迁移率(cm2/V.s)：（2.0-2.4）*103位错密度(cm-2)：≤3*104 标准基片：Φ 2″×0.35mmΦ3″×0.35mm

3.单晶：InP 掺杂：Zn 导电类型：P 载流子浓度cm-3：（0.6-2）*1018迁移率(cm2/V.s)：70-90位错密度(cm-2)：≤2*104 标准基片：Φ 2″×0.35mmΦ3″×0.35mm

4.单晶：InP 掺杂：Fe 导电类型：N 载流子浓度cm-3：107-108迁移率(cm2/V.s)：≥2000位错密度(cm-2)：≤3*104 标准基片：Φ 2″×0.35mmΦ 3″×0.35mm

尺寸（mm）:Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm 可按照客户需求，定制特

殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

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