砷化铟InAs晶片_砷化铟InAs单晶基片_众铂材料

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    保定众铂商贸有限公司专业销售实验用新材料的及科工贸为一体的国际贸易公司，现提供InAs（砷化铟）单晶基片。

以 InAs 单晶为衬底可以生长InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长2～14μm的红外发光器件，用InAs 单晶衬底还可以外延生长AlGaSb 超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底, InAs 材料需要具备低的位错密度、良好的晶格完整性、合适的电学参数和较高的均匀性. InP 单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术（LEC）。

主要性能参数

1.单晶：InAs 掺杂：本征 导电类型：N 载流子浓度cm-3：5*1016 迁移率(cm2/V.s)：≥2*104位错密度(cm-2)：<5*104 标准基片：Φ 2″×0.5mm Φ 3″×0.5mm。

2.单晶：InAs 掺杂：Sn 导电类型：N 载流子浓度cm-3：(5-20)*1017 迁移率(cm2/V.s)：>2000位错密度(cm-2)：<5*104标准基片：Φ 2″×0.5mmΦ 3″×0.5mm。

3.单晶：InAs 掺杂：Zn 导电类型：P 载流子浓度cm-3：(1-20)*1017迁移率(cm2/V.s)：100-300位错密度(cm-2)：<5*104标准基片：Φ 2″×0.5mmΦ 3″×0.5mm。

4.单晶：InAs 掺杂：S 导电类型：N 载流子浓度cm-3：(1-10)*1017迁移率(cm2/V.s)：>2000位错密度(cm-2)：<5*104标准基片：Φ 2″×0.5mmΦ 3″×0.5mm。

尺寸（mm）：Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

抛光：单面或双面

包装：100 级洁净袋，1000 级超净室

    我公司始终秉承合理的价格，优质的质量，完善的服务，欢迎广大学者，实验科研人员来我公司交流合作，您的满意就是支撑我们的动力。