SiC单晶6H-SiC,4H-SiC晶片_ SiC单晶_众铂

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    保定众铂商贸有限公司专业销售实验用新材料的及科工贸为一体的国际贸易公司，现提供SiC单晶。

    SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。

主要性能参数

生长方法：籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）

晶体结构：六方或者四方

晶格常数：a=3.08 Å   c=15.08 Å

方向：生长轴或 偏<0001> 3.5 º

带隙：2.93 eV (间接)

硬度：9.2（mohs）

热传导@300K：5 W/ cm.k

介电常数：e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm 等

厚度：0.5mm，1.0mm

抛光：单面或双面

晶向：<001>±0.5º

晶面定向精度: ±0.5°

边缘定向精度: 2°（特殊要求可达 1°以内）

斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角 1°－45°）的晶片

Ra: ≤5Å（5µm×5µm）

包装：100 级洁净袋，1000 级超净室

    我公司始终秉承合理的价格，优质的质量，完善的服务，欢迎广大学者，实验科研人员来我公司交流合作，您的满意就是支撑我们的动力。