SiC单晶6H-SiC,4H-SiC晶片_ SiC单晶_众铂
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SiC单晶具有许多优良的性质,热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等,适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。
主要性能参数
生长方法:籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
晶体结构:六方或者四方
晶格常数:a=3.08 Å c=15.08 Å
方向:生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙:2.93 eV (间接)
硬度:9.2(mohs)
热传导@300K:5 W/ cm.k
介电常数:e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm 等
厚度:0.5mm,1.0mm
抛光:单面或双面
晶向:<001>±0.5º
晶面定向精度: ±0.5°
边缘定向精度: 2°(特殊要求可达 1°以内)
斜切晶片:可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角 1°-45°)的晶片
Ra: ≤5Å(5µm×5µm)
包装:100 级洁净袋,1000 级超净室
我公司始终秉承合理的价格,优质的质量,完善的服务,欢迎广大学者,实验科研人员来我公司交流合作,您的满意就是支撑我们的动力。
发布时间:2017-05-12
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