氮化镓单晶基片_GaN晶体基片_氮化镓单晶_众铂材料
发布时间:2017-05-12
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GaN具有宽的直接带隙,强的原子键,高的热导率等性质和强的抗辐照能力,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的换代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED蓝紫、紫外光LD、紫外探测器以及高频大功率电子器件。
主要性能参数
导电类型:N-Type
电阻率:<0.5
晶向:C-axis(0001) ±1.0 º
厚度:0.23mm,0.28mm
有效面积:>90%
晶向:<111>、<100>、<110>±0.5º
尺寸:Ф2″,10*10.5mm
抛光:单面或双面
包装:100 级洁净袋,1000 级超净室
我公司始终秉承合理的价格,优质的质量,完善的服务,欢迎广大学者,实验科研人员来我公司交流合作,您的满意就是支撑我们的动力。
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